Bilim insanları tarafından, transistörlerin küçültülmesi konusundaki büyük bir engel aşılıyor. 1 nanometre boyutundan daha küçük transistör yapılar oluşturmak artık mümkün hale geliyor.
Bilim insanları transistör boyutlarını 1 nanometre altına düşürmenin yolunu buldu!
Yeni bir yöntemle 1 nanometre boyutundan daha küçük yapıların üretilebileceği bilim insanları tarafından duyuruldu. Duyurulan bu yenilik, gelecekteki teknoloji devrimi için büyük bir adım olarak ifade ediliyor. Araştırma, IBS’deki Van der Waals Kuantum Katı Merkezi’nden Jo Moon-Ho liderliğindeki bir ekip tarafından yürütüldü. Bu ekip, kontrollü katman büyümesi (epitaktik büyüme) adı verilen bir teknikle, Molybdändisülfid (MoS2) kullanarak transistör için inanılmaz derecede ince metal hatlar oluşturmayı başardı.
MoS2’nin benzersiz özellikleri sayesinde, iki kristal formasyonu arasındaki sınırda transistör için sadece 0,4 nanometre genişliğinde metal hatlar oluşturulabiliyor. Bu hatlar, 2D yarı iletkenler için kapı elektrotları olarak kullanılabiliyor. Yani, gelecekteki elektronik cihazlarımızın performansını artıracak süper küçük transistör elde edebiliriz.
Samsung, 2026 yılına kadar ilk 1 nanometre çiplerini üretmeyi planlıyor.
2037 yılına kadar mevcut tahminler, 0,5 nanometre büyüklüğünde yarı iletken düğümler ve 12 nanometre transistör kapı uzunlukları öngörüyor. Öngörülen bu yeni yöntemle, kapı uzunlukları 3,9 nanometreye kadar düşürülebilir. Bu yenilik, teknoloji dünyasında çok daha küçük cihazların hayatımıza gireceği anlamına geliyor.
Samsung, 2026 yılına kadar ilk 1 nanometre çiplerini üretmeyi planlıyor. Aynı şekilde, TSMC ve Intel de buna benzer hedefler koymuş durumda. Bu gelişmeler, yarı iletken teknolojisinin geleceği için oldukça umut verici gözüküyor. Fujitsu ise 150 çekirdekli bir işlemciyi 2 nanometre tasarımıyla piyasaya sürmeyi planlıyor.
Kaynak: ShiftDelete
